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芯片plasma去胶机
在现代半导体生产过程中，会大量使用光刻胶来将电路板图图形通过掩模版和光刻胶的感光与显影，转移到晶圆光刻胶上，从而在晶圆表面形成特定的光刻胶图形，然后在光刻胶的保护下，对下层薄膜或晶圆基底完成进行图形刻蚀或离子注入，最后再将原有的光刻胶彻底去除。
半导体光刻胶去除工艺，一般分成两种，湿式去光刻胶和干式去光刻胶。湿式去胶又根据去胶介质的差异，分为氧化去胶和溶剂去胶两种类别。
而微波plasma去胶是干式去胶核心方式之一，plasma去胶适合大部分去胶工艺，去胶彻底且速度快，是现有去胶工艺中最好的方式。
诚峰智造的微波plasma去胶机，搭载自有微波半导体去胶发生器技术，配置磁流体旋转架，使微波等离子体更加高效、均匀的输出，不仅去胶效果好，还能做到无损硅片与其他金属器件。并提供“微波+Bias RF”双电源技术，以应对不同客户需求。
Sindin自主研发 掌控核心技术
国内首家自主研发微波半导体去胶发生器技术；
磁流体旋转架，保证处理效果均匀；
微波plasma去胶机无放电电极，高效均匀，保证刻蚀率；
低温等离子体，避免产生热损伤；
自偏压要求低，微波结和磁路可以兼容。
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