全自动双腔RTP快速退火炉：双腔结构设计，有效提高退火效率

半导体材料在晶体生长和制造过程中，由于各种原因会出现缺陷、应力等问题，进而影响半导体器件的性能。通过退火处理，可以使半导体材料内部排列更加有序，改善晶体内部结构，消除应力，修复离子注入损伤，促进杂质的合理分布等，从而提高半导体器件的可靠性。

传统的炉管退火工艺因升温速率缓慢，加热时间长，晶片在长时间受热的情况下会出现杂质扩散严重等问题。随着芯片制造技术的不断进步，对退火工艺的要求也越来越高，RTP快速退火炉的竞争优势越来越明显：具有独特的水平均温处理技术，在退火过程中，不仅能在极短的时间内实现升温和冷却，提升晶圆退火的效率和效果，还能同时保证晶圆表面的温度分布均匀性和稳定性，总体热预算较低，可以更好地提高晶圆的性能，满足先进半导体的制造需求。

另外，快速热退火系统具有灵活性和可拓展性，根据不同材料的退火工艺需求进行灵活调整，诚峰智造全自动双腔RTP快速退火炉标配两组气体，可拓展至6组工艺气体，满足不同材料的热处理需求，具有灵活性和可拓展性。

全自动双腔RTP快速退火炉

适用于4-12英寸硅片、第二代、第三代化合物材料等(包括但不限于磷化铟、砷化镓、碳化硅、氮化镓等各类衬底和外延片)，拥有出色的热源和双腔结构设计，单次可处理两片晶圆。

配置测温系统，硅片在升温、恒温及降温过程中精确地获取晶圆表面温度数据，误差范围控制在±1℃以内，保证良好的温度重现性与温度均匀性。

设备优势

双腔结构设计增加晶圆机器手，提高了生产效率

支持多种气体气氛，满足不同材料的热处理需求

工艺时间短，控温精度高，具有极好的热均匀性

具有三重安全保护措施，全方位保障仪器使用安全

行业应用

RTP快速退火炉是目前先进半导体工艺中非常重要的一种工艺设备，在氧化物/氮化物生长、离子注入、ITO镀膜退火、欧姆接触快速合金等工艺中得到了广泛的应用：

①修复晶格损伤：离子注入后会产生位移原子、晶格点等晶格缺陷。快速退火可以修复晶格损伤，改善晶体内部结构，提高结晶质量。

②消除应力：晶体材料在制造过程中会产生一定程度的应力，快速退火有助于消除应力，提高半导体器件的电学性能和可靠性。

③欧姆接触快速合金：通过改变材料的结构和性质，使金属电极与半导体器件之间形成低接触电阻，进而提高器件性能。