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随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装技术（2.5D/3D IC、扇出型封装、Chiplet集成等）成为延续半导体性能提升的关键路径。
其中，光刻胶的彻底、无损去除直接决定了封装良率与长期可靠性。
一、等离子干法去胶
传统湿法去胶在面对复杂三维结构、敏感材料和严苛尺度时局限性凸显，而等离子干法去胶技术利用高能等离子体去除光刻胶，去胶彻底且速度快，无需引入化学物质，避免造成材料损伤，已逐渐成为先进封装工艺链中不可替代的核心制程。
二、诚峰智造等离子去胶机
核心优势
•采用远程等离子体，可避免造成晶圆损伤
•高密度等离子体，去胶速率快
•仿真电圈设计，放电稳定，等离子电离效率高
•自研软件，具有直观流程动画和完善的数据记录
等离子去胶机产品系列
三、诚峰智造等离子去胶机光刻胶处理效果
当图形化工艺完成后，表面剩余光刻胶需要通过去胶工艺进行完全清除。光刻胶残留会破坏电路图案的精度和线宽，导致芯片性能下降甚至失效。
①硅晶圆光刻胶去除
②蓝宝石光刻胶去除
四、等离子去胶机应用工艺
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